硅片中磷扩散进行掺杂的原料是（）。

生产1kg铸造多晶硅所需的能耗是（）kWh。

最常用于测试半导体材料电阻率的方法是（）。

一般制造一个重量为250～300kg的铸造多晶硅锭需要（）时间。

用于测试硅片中少数载流子类型的测试是（）。

铸造多晶硅制备目前最常用的方法是（）。

电磁铸锭法说法错误的是（）。

硅的熔点约为（）。

铸造多晶硅的晶粒的大小一般为（）。

单晶硅片的电阻率一般控制在（）。

硅片清洗的作用是（）。

以下哪些工艺是热交换法制备多晶硅必须的（）。

铸造多晶硅相对于直拉单晶硅的优点有（）。

金属杂质的吸杂工艺一般包括（）。

浇铸法的缺点在于（）。

多晶硅锭的低质量区杂质较多是由于（）。

太阳电池用单晶硅的切片通常采用（）。

按照硅的存在形式，可将硅基太阳电池分为（）。

影响铸造多晶硅晶体生长的主要因素包括（）。

铸造多晶硅的制备方法有（）。

目前的技术，大规模生产制造p型掺硼铸造多晶硅、掺镓的p型铸造多晶硅都是没有问题的。

与高纯石英坩埚相比，高纯石墨坩埚的成本更低，但更可能引入碳污染和金属杂质污染。

硅锭与坩埚壁接触的底部与四周都是晶粒较大的区域。

通常晶体的生长速率越快，生产效率越高，但其温度梯度也越大，最终导致热应力越大，而高的热应力会导致高密度的位错，严重影响材料的质量。

直流光电导衰退法可用于测量少子寿命，不需要接触硅片。

影响铸造多晶硅晶体生长的主要因素是晶粒尺寸、固液界面、热应力、来自坩埚的污染等。

多晶硅锭中晶粒越细小，晶界越少。

浇铸法是很有应用前景的铸造多晶硅生产的新技术。

热交换法的铸锭炉底部不需要水冷。

纯净的晶界也具有电活性，会影响多晶硅的电学性能。

将化学反应与作用一一对应。 （1）3Si+4HNO3=3SiO2↓+2H2O+4NO↑ （2）SiO2+6HF=H2[SiF6]+2H2O （3）Si＋H2O+2NaOH=Na2SiO3+2H2↑

将制备方法与描述一一对应。 （1）布里曼法 （2）热交换法 （3）浇铸法

将测试方法与作用一一对应。 （1）整流法 （2）四探针法 （3）光电导衰退法

将清洗时试剂与作用一一对应。 （1）无机酸 （2）有机溶剂 （3）过氧化氢

将各工艺与能耗一一对应。 （1）区熔单晶硅 （2）直拉单晶硅 （3）铸造多晶硅

将吸杂工艺与描述一一对应。 （1）磷吸杂 （2）铝吸杂 （3）磷-铝共吸杂

将硅片参数与作用一一对应。 （1）BOW （2）TTV （3）TIR

将各种硅生产工艺与特点一一对应。 （1）mc-Si （2）cz-Si （3）fz-Si

将硅中的各种元素与影响一一对应。 （1）B （2）O （3）H

将抛光工艺与描述一一对应。 （1）机械抛光法 （2）化学抛光法 （3）化学－机械抛光法