缓冲剂一般是（ ）。

一般认为利用金属与半导体的点接触整流原理来测量导电类型的方法适用于室温电阻率在（ ）的硅单晶。

目前国内外广泛采用（ ）测量半导体硅单晶电阻率。

用冷热探笔法测量（ ）半导体时，冷端带正电，热端带负电。

半导体器件厂就是用一定型号的（ ）来生产出所需要的半导体元件。

漩涡缺陷的A缺陷比B缺陷（ ）。

（ ）是半导体中最主要的缺陷，它属于线缺陷。

（ ）是最简单的点缺陷。

三探针法属于利用半导体的（ ）来测量导电类型的方法。

（ ）是影响硅器件的成品率的一个重要因素，也是影响器件性能的稳定性和可靠性的重要因素。

国内外半导体硅单晶导电类型的测量具体方法有（ ）。

半导体晶体缺陷中的宏观缺陷主要有（ ）。

高频光电导衰退法的优点主要有（ ）。

陷阱效应对少数载流子寿命测量的影响可以采用（ ）。

半导体中非平衡少子载流子寿命的大小对半导体器件的（ ）有直接影响。

半导体硅的常用腐蚀剂主要有（ ）。

直流光电导衰退法的缺点主要有（ ）。

高频光电导衰退法的缺点主要有（ ）。

半导体晶体缺陷中的微观缺陷主要有（ ）。

稳态法测量非平衡少数载流子寿命，主要采用的方法有（ ）。

漩涡缺陷的A缺陷比B缺陷大得多，而数量上少两个数量级。

半导体的陷阱中心数量是变化的。

硅单晶在不同腐蚀液中，P型硅的电极电位比N型硅的高。

用冷热探笔法测量N型半导体时，冷端带负电，热端带正电。

腐蚀液的成分对腐蚀速度影响最大。

测量半导体硅单晶导电类型时，通常要对表面进行喷砂处理或进行研磨处理。

用冷热探笔法测量半导体硅单晶导电类型时，热探笔的温度要适当，以40～50℃为宜。

被腐蚀的半导体电极电位低的是负极，电极电位高的是正极，正级被腐蚀溶解。

半导体体内的缺陷可用金相显微镜进行观察和计数。

当半导体内注入了非平衡载流子后，一方面依靠体内的杂质和缺陷作为复合中心，另一方面依靠表面能级作为复合中心。

将下列不同电阻率的测量电流范围一一对应。 （1）样品电阻率>1000 （2）样品电阻率30～1000 （3）样品电阻率1～30

将下列半导体硅的常用腐蚀剂液体试剂的浓度一一对应。 （1）HCL （2）HAc （3）H2O2

见下图

将下列半导体晶体缺陷类型一一对应。 （1）宏观缺陷 （2）微观缺陷 （3）表面机械损伤

将下列微观缺陷种类与说法一一对应。 （1）空位 （2）填隙原子 （3）络合体

将下列硅的腐蚀剂与腐蚀时间一一对应。 （1）Shimmle腐蚀液 （2）Wright腐蚀液 （3）Sirtl腐蚀液

将下列不同电阻率的测量电流范围一一对应。 （1）样品电阻率＜0.01 （2）样品电阻率0.01～1 （3）样品电阻率1～30

将下列硅的腐蚀剂与腐蚀时间一一对应。 （1）Sirtl腐蚀液 （2）Dash腐蚀液 （3）Secco腐蚀液

将下列电阻率测量方法与电阻率值一一对应。答题框中填写答案对应的选项即可 （1）冷热探笔法 （2）整流法 （3）两探针法

将下列半导体硅的常用腐蚀剂液体试剂的浓度一一对应。 （1）HF （2）HNO3 （3）H2O2